DDRメモリ VTT終端抵抗値の影響



DDRメモリで気を使う要素に、ターミネーション電圧VTTに対する、終端抵抗値があります

DDR2の場合
 VDD 1.8V
 VTT 0.9V



検証 DDR500、データレート=500Mbps, CLK= 250MHz  /DDR2-SSTL18(振幅1.8v)


終端抵抗値 = 50Ω





終端抵抗値 = 150Ω



矢印A: 反射の部分です。やや大きくなっています
矢印B: データ境界。やや鈍っています

両方とも、データパターンは、正常です
この環境では、50Ω終端が良いように見えます
しかし、50Ωは150Ωに比べ消費電力が大きくなります
こういう測定を一回はして、基板の状況で終端抵抗は選択することが必要です

DDR500だと、50Ωの選択が一般的には安定するかもしれませんが、もっと速度が低ければあえてそこまで小さくする必要はないようです


終端抵抗の補足
DATAは通常、DDR内部終端抵抗値をイニシャルで選択することになります
CS,ADRなど制御線は外部VTTに接続して外部終端抵抗を配置します



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