オシロ等価サンプリング

 オプション: LOSCL3 → LOSCL4に更新 

3.2Gサンプリング x 3
CH
パーソナル計測器でアナログ最高帯域幅
CLK250MHzの実測例を開示  ※パーソナル計測器で唯一 2019/1当社調査

→ LOSCL4: 4G サンプリングに更新しました 2017/10 


当社が開発した、CLK250MHz広帯域幅分析を低価格で実現する新しいアナログ技術です 
CLK150MHz以上を低価格で分析するための最も優れた方式と考えております

単現象対応のオシロではありませんので、
下記 ”原理、オシロとの比較” で詳細を必ず確認下さい。当社デジタルオシロの分類 (200MS/s、14bitADC-デジタルストレージオシロも別にラインアップ)

原理、オシロとの比較 

ハード構成



【100Mbps】 ※3CHあります 旧2GS/s
 
100Mbps:CLKとデータ位相 (CMOS2.5V) 
※旧2GS/sのサンプリング例(現
3.2GS/sはやや高精細になっています)





【100MHzとFFT】 新3.2GS/s

100MHz 、SSTL15 (振幅1.5V)
・この高い周波でも、HL形状には矩形成分がわかる
・振幅電圧Vppは、減衰ゼロの1.54vが分析できている (帯域幅100MHzのオシロなら、-3dB減衰があるとすると、Vpp=1.05V程度に小さくなる)

100M以上を計測すると、パーソナルレベルのオシロではサイン波になり振幅も小さくなります。
サイン波になってしまうと、FFT分析しても1倍の成分しか分析できません
CLK波形なら実際には矩形状部分があり、それを表示できないと成分周波数は分析できません

FFTします

FFT結果 
1: 99.834MHz 596.8983 mV
2: 200.047MHz 60.5331 mV
3: 299.881MHz 131.0421 mV
4: 400.095MHz 8.8950 mV
5: 499.929MHz 49.9894 mV
6: 600.142MHz 10.6122 mV
7: 699.976MHz 29.4203 mV
8: 900.024MHz 22.0413 mV
9: 1100.071MHz 17.0650 mV
10: 1300.119MHz 14.7420 mV
11: 1500.166MHz 12.0419 mV
基本周波数100MHzの、 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 9, 11, 13, 15倍の周波数成分が分析されています

当機能で基本倍成分が連続で分析できているポイントは、以下の点です。分析力の違いが現れています
・HL部分に矩形部分がある
・立ち上がりがサイン波より鋭角である






--- 実用 LOSCL3 3.2GS/s --- 

DDRメモリ、CLK品質評価 

電源の高速ノイズ分析 (電源ノイズの正体)  



※以下は旧2GS/sのサンプリング例、現3.2GS/sは高精細になっています

--- 性能検証 (旧LOSCL2B) ---

新次元プローブの実力、オシロ実測比較 2011/11/28 注目従来型プローブのウソの波形をあばくリンギングはプローブが創作していた

波形形状の詳細分析 ※本当のCLK波形とは (アナログオシロ比較)



--- 実用 (旧LOSCL2B) ---

DDR2-400メモリ ( 400Mbps )  2010/11/05   





ブログ 帯域幅とは

 同軸プローブ: LBUF-PB

プローブはMIL規格同軸ケーブル使用、先端はICクリップ直掴み
*1:ICクリップはこの例は低反射用LIC-S1ですが、ロジアナ用LIC-MASETをお持ちならそのクリップLIC-MA1を使用可(200MHz以上で数%振幅が小さくなるだけで使用可)


●仕様


サンプルレート 3.2GS/s、3ch、 メモリ 1Mbit/CH
測定対象 同期ポイントのある連続発生波形
帯域幅
LOSCL3
CLK帯域幅 1-3CH: 200MHz (-3dB)  
単パルス帯域幅 1-3CH: 1.25ns 400Mbps
LOSCL3-DDR
CLK帯域幅 1CH:
2、3CH:
250MHz (-3dB) 
200MHz (-3dB)
単パルス帯域幅 1CH:
2、3CH:
1.0ns, 500Mbps (-3dB)
1.25ns, 400Mbps (-3dB)  
測定電圧 -5 〜 +10v、(10mV分解能) AD分解能 10Bit
DCのみ(AC/DC切り替えなし)
プローブ 1MΩ、10pF

※ターゲットGND接続時の重要な注意
・全CHごとFETロードスイッチが有り、PCのGNDとターゲットのGNDを未RUN時は分離させます。RUN時はFETを仲介し全CH同電位になります。異なるGNDは使用できません
トリガー 8連続条件シーケンシャル
耐圧 通電時耐圧 -10 〜 +25 V
消費電力 600mA ACアダプター解説
※DDR, DDR2は、高速多容量のメモリの代表品種
※100MHz以上の信号は2本以上にならないようして下さい。100MHz以上とその派生信号は可能です。(例::CLK.と/CS

仕様は予告無く変更される場合があります




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